| رقم القطعة : | DS1270AB-100# |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Maxim Integrated |
| وصف : | IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 117 pcs |
| جداول البيانات | DS1270AB-100#.pdf |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | 100ns |
| الجهد - توريد | 4.75 V ~ 5.25 V |
| تكنولوجيا | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| تجار الأجهزة حزمة | 36-EDIP |
| سلسلة | - |
| التعبئة والتغليف | Tube |
| حزمة / كيس | 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| نوع الذاكرة | Non-Volatile |
| حجم الذاكرة | 16Mb (2M x 8) |
| واجهة الذاكرة | Parallel |
| تنسيق الذاكرة | NVSRAM |
| الصانع المهلة القياسية | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 100ns 36-EDIP |
| رقم جزء القاعدة | DS1270AB |
| وقت الدخول | 100ns |
Maxim Integrated
