مرحبًا بك في www.icgogogo.com

اختار اللغة

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
إذا كانت اللغة التي تحتاجها غير متوفرة ، فيرجى "الاتصال بخدمة العملاء "

HUF76429S3ST

رقم القطعة : HUF76429S3ST
المصنع / العلامة التجارية : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف : MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
حالة RoHs : الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية متاحة 27556 pcs
جداول البيانات HUF76429S3ST.pdf
VGS (ال) (ماكس) @ إيد 3V @ 250µA
فغس (ماكس) ±16V
تكنولوجيا MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة D²PAK (TO-263AB)
سلسلة UltraFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS 22 mOhm @ 47A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس) 110W (Tc)
التعبئة والتغليف Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى HUF76429S3ST-ND
HUF76429S3STTR
درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) 1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية 13 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس 1480pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس 46nC @ 10V
نوع FET N-Channel
FET الميزة -
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) 4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) 60V
وصف تفصيلي N-Channel 60V 47A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C 47A (Tc)
HUF76429S3ST
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor الصور هي للإشارة فقط. انظر مواصفات المنتج للحصول على تفاصيل المنتج.
اشتر HUF76429S3ST بثقة من {Define: Sys_Domain} ، ضمان لمدة سنة
إرسال طلب للحصول على اقتباس على كميات أكبر من تلك المعروضة.
السعر المستهدف (USD):
كمية:
مجموع:
$US 0.00

منتجات ذات صله

عملية التسليم