| رقم القطعة : | MBR20030CTR |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | GeneSiC Semiconductor |
| وصف : | DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 644 pcs |
| جداول البيانات | 1.MBR20030CTR.pdf2.MBR20030CTR.pdf |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 650mV @ 100A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة | Twin Tower |
| سرعة | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة | - |
| التعبئة والتغليف | Bulk |
| حزمة / كيس | Twin Tower |
| اسماء اخرى | 1242-1023 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 4 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي | Schottky |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Anode |
| وصف تفصيلي | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 5mA @ 20V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 200A (DC) |
GeneSiC Semiconductor
