| رقم القطعة : | MT48H16M32L2B5-10 |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Micron Technology |
| وصف : | IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 1238 pcs |
| جداول البيانات | MT48H16M32L2B5-10.pdf |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة | - |
| الجهد - توريد | 1.7 V ~ 1.9 V |
| تكنولوجيا | SDRAM - Mobile LPSDR |
| تجار الأجهزة حزمة | 90-VFBGA (8x13) |
| سلسلة | - |
| التعبئة والتغليف | Tray |
| حزمة / كيس | 90-VFBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 2 (1 Year) |
| نوع الذاكرة | Volatile |
| حجم الذاكرة | 512Mb (16M x 32) |
| واجهة الذاكرة | Parallel |
| تنسيق الذاكرة | DRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 100MHz 7.5ns 90-VFBGA (8x13) |
| تردد على مدار الساعة | 100MHz |
| رقم جزء القاعدة | MT48H16M32 |
| وقت الدخول | 7.5ns |
Micron Technology
