| رقم القطعة : | NSVMUN5133DW1T1G |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| وصف : | TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6 |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 332017 pcs |
| جداول البيانات | NSVMUN5133DW1T1G.pdf |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 50V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم | 250mV @ 300µA, 10mA |
| نوع الترانزستور | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2) | 47 kOhms |
| المقاوم - قاعدة (R1) | 4.7 kOhms |
| السلطة - ماكس | 250mW |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 40 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول | - |
| وصف تفصيلي | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE | 80 @ 5mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس) | 500nA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 100mA |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
