| رقم القطعة : | NTF6P02T3G |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| وصف : | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 90013 pcs |
| جداول البيانات | NTF6P02T3G.pdf |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA |
| فغس (ماكس) | ±8V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-223 |
| سلسلة | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 50 mOhm @ 6A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 8.3W (Ta) |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى | NTF6P02T3GOS NTF6P02T3GOS-ND NTF6P02T3GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 17 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200pF @ 16V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 20nC @ 4.5V |
| نوع FET | P-Channel |
| FET الميزة | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V |
| وصف تفصيلي | P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
