| رقم القطعة : | NVMFS6H800NT1G |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| وصف : | TRENCH 8 80V NFET |
| حالة RoHs : | |
| الكمية متاحة | 21340 pcs |
| جداول البيانات | NVMFS6H800NT1G.pdf |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 330µA |
| فغس (ماكس) | ±20V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| اسماء اخرى | NVMFS6H800NT1G-ND NVMFS6H800NT1GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية | 42 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص | Lead free |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5530pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 85nC @ 10V |
| نوع FET | N-Channel |
| FET الميزة | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80V |
| وصف تفصيلي | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
