| رقم القطعة : | RBR3L30BTE25 |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | LAPIS Semiconductor |
| وصف : | DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDS |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 145018 pcs |
| جداول البيانات | RBR3L30BTE25.pdf |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 530mV @ 3A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 30V |
| تجار الأجهزة حزمة | PMDS |
| سرعة | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة | - |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA |
| اسماء اخرى | RBR3L30BTE25TR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي | Schottky |
| وصف تفصيلي | Diode Schottky 30V 3A Surface Mount PMDS |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 80µA @ 30V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
LAPIS Semiconductor
