| رقم القطعة : | SI5920DC-T1-GE3 |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| وصف : | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 4349 pcs |
| جداول البيانات | SI5920DC-T1-GE3.pdf |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة | 1206-8 ChipFET™ |
| سلسلة | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| السلطة - ماكس | 3.12W |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 8-SMD, Flat Lead |
| اسماء اخرى | SI5920DC-T1-GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 680pF @ 4V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 12nC @ 5V |
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 8V |
| وصف تفصيلي | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4A |
| رقم جزء القاعدة | SI5920 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
