| رقم القطعة : | SI7946DP-T1-GE3 |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| وصف : | MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 5397 pcs |
| جداول البيانات | SI7946DP-T1-GE3.pdf |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 150 mOhm @ 3.3A, 10V |
| السلطة - ماكس | 1.4W |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | PowerPAK® SO-8 Dual |
| اسماء اخرى | SI7946DP-T1-GE3TR SI7946DPT1GE3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 20nC @ 10V |
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150V |
| وصف تفصيلي | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 2.1A |
| رقم جزء القاعدة | SI7946 |
Electro-Films (EFI) / Vishay
