| رقم القطعة : | SI8261BCD-C-IM |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Energy Micro (Silicon Labs) |
| وصف : | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 4991 pcs |
| جداول البيانات | SI8261BCD-C-IM.pdf |
| الجهد - توريد | 13.5 V ~ 30 V |
| الجهد - العزلة | 5000Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب) | 2.8V (Max) |
| تكنولوجيا | Capacitive Coupling |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-LGA (10x12.5) |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 5.5ns, 8.5ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس) | 28ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس) | 60ns, 50ns |
| التعبئة والتغليف | Tray |
| حزمة / كيس | 8-VELGA |
| اسماء اخرى | 336-2419 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات | 1 |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5) |
| الحالي - الناتج الذروة | 4A |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا | 500mA, 1.2A |
| الحالي - دس إلى الأمام (إذا) (ماكس) | 30mA |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة) | 35kV/µs |
| الموافقات | CQC, CSA, UR, VDE |
Energy Micro (Silicon Labs)
