| رقم القطعة : | SI8271DB-ISR |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Energy Micro (Silicon Labs) |
| وصف : | DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 24522 pcs |
| جداول البيانات | SI8271DB-ISR.pdf |
| الجهد - توريد | 9.6 V ~ 30 V |
| الجهد - العزلة | 2500Vrms |
| فولتاج - فوروارد (ف) (تيب) | - |
| تكنولوجيا | Capacitive Coupling |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 10.5ns, 13.3ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس) | 8ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس) | 60ns, 60ns |
| التعبئة والتغليف | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى | 336-5540-1 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات | 1 |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 2A (4 Weeks) |
| الصانع المهلة القياسية | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 1 Channel 8-SOIC |
| الحالي - الناتج الذروة | 4A |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا | 1.8A, 4A |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة) | 150kV/µs |
| الموافقات | CQC, CSA, UR, VDE |
