| رقم القطعة : | SI8712CC-B-IS |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Energy Micro (Silicon Labs) |
| وصف : | DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 56330 pcs |
| جداول البيانات | SI8712CC-B-IS.pdf |
| الجهد - توريد | 3 V ~ 30 V |
| الجهد - العزلة | 3750Vrms |
| اكتب | General Purpose |
| تكنولوجيا | Capacitive Coupling |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC |
| سلسلة | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 15ns, 5ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس) | 20ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس) | 60ns, 60ns |
| التعبئة والتغليف | Tube |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى | 336-2380 SI8712CCBIS |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات | 1 |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| عزل عزل، باور | No |
| المدخلات - الجانب 1 / الجانب 2 | 1/0 |
| وصف تفصيلي | General Purpose Digital Isolator 3750Vrms 1 Channel 1Mbps 20kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| معدل البيانات | 1Mbps |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة) | 20kV/µs |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Unidirectional |
