| رقم القطعة : | SI8851EDB-T2-E1 |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| وصف : | MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 125829 pcs |
| جداول البيانات | SI8851EDB-T2-E1.pdf |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA |
| فغس (ماكس) | ±8V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | Power Micro Foot® (2.4x2) |
| سلسلة | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 8 mOhm @ 7A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 660mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس | 30-XFBGA |
| اسماء اخرى | SI8851EDB-T2-E1TR |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 6900pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 180nC @ 8V |
| نوع FET | P-Channel |
| FET الميزة | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V |
| وصف تفصيلي | P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 7.7A (Ta) |
| رقم جزء القاعدة | SI8851 |
