| رقم القطعة : | STGWT80H65DFB |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | STMicroelectronics |
| وصف : | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 8385 pcs |
| جداول البيانات | STGWT80H65DFB.pdf |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 650V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2V @ 15V, 80A |
| اختبار حالة | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 84ns/280ns |
| تحويل الطاقة | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-3P |
| سلسلة | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 85ns |
| السلطة - ماكس | 469W |
| التعبئة والتغليف | Tube |
| حزمة / كيس | TO-3P-3, SC-65-3 |
| اسماء اخرى | 497-14234-5 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات | Standard |
| نوع IGBT | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول | 414nC |
| وصف تفصيلي | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 240A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 120A |
STMicroelectronics
