| رقم القطعة : | TK72E12N1,S1X |
|---|---|
| المصنع / العلامة التجارية : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| وصف : | MOSFET N CH 120V 72A TO-220 |
| حالة RoHs : | الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة |
| الكمية متاحة | 13561 pcs |
| جداول البيانات | TK72E12N1,S1X.pdf |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA |
| فغس (ماكس) | ±20V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 |
| سلسلة | U-MOSVIII-H |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 4.4 mOhm @ 36A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 255W (Tc) |
| التعبئة والتغليف | Tube |
| حزمة / كيس | TO-220-3 |
| اسماء اخرى | TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1S1X |
| درجة حرارة التشغيل | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 8100pF @ 60V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 130nC @ 10V |
| نوع FET | N-Channel |
| FET الميزة | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 120V |
| وصف تفصيلي | N-Channel 120V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 72A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
